Purškimas magnetronu būna įvairių formų. Kiekvienas turi unikalias veikimo koncepcijas ir taikymo tikslus. Dėl magnetinio ir elektrinio laukų sąveikos elektronai spirale sukasi aplink tikslinį paviršių, todėl padidėja tikimybė, kad elektronai atsitrenks į argono dujas. ir sukurti jonus.Taikinė medžiaga yra purškiama, kai susidarę jonai susiduria su tiksliniu paviršiumi veikiant elektriniam laukui.
Atskiriami nesubalansuoti ir subalansuoti tikslo šaltinio komponentai. Nesubalansuoti taikinio šaltiniai turi tvirtą ryšį tarp dangos plėvelės ir pagrindo, o subalansuoti šaltiniai turi vienodą dangą. Nesubalansuoti tiksliniai šaltiniai paprastai naudojami dekoratyvinėms plėvelėms dengti, o subalansuoti tiksliniai šaltiniai paprastai naudojami puslaidininkinėms optinėms plėvelėms. Atsižvelgiant į magnetinio lauko veikimo būdą. sukonfigūruoti, magnetroniniai katodai pasiskirsto skirtingai ir gali būti laisvai klasifikuojami kaip subalansuoti ir nesubalansuoti. Magnetinio plieno magnetinis srautas pusiausvyros magnetroninio katodo viduje ir išorėje yra maždaug vienodas, o du magnetinio lauko linijų poliai yra uždaryti tiksliniame paviršiuje. , kuris efektyviai apriboja elektronus ir plazmą arti tikslinio paviršiaus, padidina susidūrimų tikimybę ir padidina jonizacijos efektyvumą, leidžiantį veikti žemesniu lygiu. Esant oro slėgiui ir įtampai, jis gali inicijuoti ir palaikyti švytėjimo iškrovą, o tikslinė medžiaga naudojama palyginti dideliu greičiu. Tačiau substrato sritis rečiau bombarduojama jonais, nes elektronai juda išilgai magnetinio lauko linijos, visų pirma šalia tikslinio paviršiaus. Nesubalansuota magnetrono dulkinimo technologija reiškia situaciją, kai magnetroninio katodo išorinio magnetinio poliaus magnetinis srautas yra didesnis. nei jo vidinio magnetinio poliaus. Plazmos tankis ir dujų jonizacijos greitis substrato srityje didėja dėl magnetinio lauko linijų, besitęsiančių į substratą.Jei magnetas yra nejudantis, jo magnetinio lauko savybės lemia, kad bendras tikslo panaudojimo lygis yra mažesnis nei 30%, balansas. arba išbalansuoti. besisukantys magnetiniai laukai.kaip puslaidininkinės medžiagos purškimas.Statinio magnetinio lauko taikinio šaltinis dažnai naudojamas mažoms mašinoms ir įprastoms pramonės mašinoms.
Naudojant magnetrono taikinio šaltinį, metalus ir kompozitus lengva purkšti, uždegti ir purkšti. Taip yra todėl, kad tarp taikinio (katodo), plazmos ir aptaškytų komponentų/vakuuminės kameros gali susidaryti kilpa. Tačiau grandinė sunaikinama, jei purslų barjerai, pvz., keramika.Dėl to kilpoje yra galingi kondensatoriai ir aukšto dažnio maitinimo šaltiniai.Šiuo būdu tikslinė medžiaga izoliacijos grandinėje veikia kaip kondensatorius.Tai sudėtinga įgyvendinti dideliu mastu, nes į aukšto dažnio magnetroninio dulkinimo maitinimo šaltinio brangumą, mažą purškimo greitį ir sudėtingą įžeminimo technologiją. Šiai problemai spręsti buvo sukurtas magnetinis reaktyvusis dulkinimas. Planuojama naudoti metalinį objektą, argoną ir reakcijos dujas, tokias kaip deguonis ar azotas. Dėl energijos konversijos metalinė tikslinė medžiaga atsitrenkia į komponentą ir susijungia su reakcijos dujomis, kad susidarytų nitridas arba oksidas. Nors magnetroninio reaktyvaus purškimo izoliatoriaus funkcija atrodo paprasta, ji yra sudėtinga. Pagrindinė problema yra ta, kad reakcija trunka vieta ant anodo, vakuuminio indo paviršius, taip pat tikslinio šaltinio paviršius.dėl to nuslopinamas gaisras, atsiranda lanko taikinio šaltinio ir ruošinio paviršiaus ir kt.
Visiems šaltiniams (magnetronams, daugialankams, jonams) reikalingas aušinimas, nes didelė energijos dalis virsta šiluma. Ši šiluma padidins tikslinio šaltinio temperatūrą virš 1, 000 laipsnių ir ištirpdys visą tikslinį šaltinį, jei nebus aušinimo arba netinkamas aušinimas.
